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石英晶體諧振器的主要參數(shù)
晶振的主要參數(shù)有標稱頻率，負載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標稱頻率不同，晶體，標稱頻率大都標明在晶振外殼上。如常用普通晶振標稱頻率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，對于特殊要求的晶振頻率可達到1000 MHz以上，也有不具標稱頻率的，如CRB 、ZTB、Ja等系列。負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定諧振器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體諧振器有兩個諧振頻率，晶體生產廠家，一個是串聯(lián)諧振晶振的低負載電容晶振：另一個為并聯(lián)諧振晶振的高負載電容晶振。所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一致，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。頻率精度和頻率穩(wěn)定：由于普通晶振的性能基本性能達到一般電器的要求，對于設備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定性。頻率精度從量級到量級不等。穩(wěn)定度從±1到±100ppm不等。這要根據(jù)具體的設備需要而選擇合適的晶振，如通信網(wǎng)絡，無線資料傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要更高要求的石英晶體諧振器。因此，晶振的參數(shù)決定了晶振的品質和性能。
石英晶體諧振器電容
晶振的負載電容有高、低兩類之別。低者一般僅為十幾至幾百PF，而高者則為無窮大，兩者相差懸殊，決不能混用，否則會使振蕩頻率偏離。兩類不同負載電容的晶振使用方式絕然不同。低負載電容晶振都串聯(lián)幾十pF容量的電容器；而高負載電容晶振不但不能串聯(lián)電容器，還須并聯(lián)數(shù)pF小容量電容器(外電路的分布晶振電容有時也能取代這個并聯(lián)小電容)
你知道什么是石英晶體諧振器嗎？
石英晶體諧振器是一種生活中隨處可見的電子器件，誕生于20世紀20年代初，因具有較高的品質因數(shù)及良好的頻率穩(wěn)定性，被廣泛應用于航天、通信、等工業(yè)領域。
顧名思義，制造石英晶體諧振器的原材料就是石英，一種非常重要的壓電材料。其主要特征是其原子或分子有規(guī)律排列，反映在宏觀上是外形的對稱性，在電場的作用下，晶體內部產生應力而形變，晶體報價，從而產生機械振動，獲得特定的頻率。石英晶體諧振器就是利用它的這種逆壓電效應特性來制造的。
石英晶體諧振器主要由石英晶片、基座、外殼、銀膠、銀等成分組成，根據(jù)引線狀況可分為直插（有引線）與表面貼裝（無引線）兩種類型。
石英晶體是壓電晶體的一種，利用石英晶體的壓電效應實現(xiàn)頻率控制、穩(wěn)定或選擇，所制成的電子元器件包括石英晶體諧振器、石英晶體振蕩器和石英晶體濾波器。
常見的石英晶片形狀有三種：圓形，方形，SMT或棒型（也是方形，但比較小），取向不同時，其壓電特性、彈性特性和強度特性就會不同，用它來制造的諧振器的性能也不一樣。
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